CVD設(shè)備
類別: 應(yīng)用示例
發(fā)布日期:2017年12月26日(星期二)
CVD設(shè)備是一種在半導(dǎo)體表面上沉積約10nm至1000nm的薄膜的薄膜形成設(shè)備。
薄膜的原料是各種氣體,利用“熱”,“光”,“等離子體”等方法使這些氣體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)并形成薄膜。
化學(xué)氣相沉積的優(yōu)點(diǎn)很多,如成膜速度快、處理面積大、均勻沉積在不平坦表面上等。
即使在低溫下條件下也可能精密薄膜,也可以控制由于熱引起的損傷、控制層間相互擴(kuò)散。 即使對(duì)于難以熱分解的原材料也可以獲得實(shí)用的沉積速率,并且可以使用具有不同熱分解溫度的材料形成各種各樣組成比的薄膜。
迄今為止,我們已經(jīng)為CVD設(shè)備制造商提供了大量磁流體。 我們耐腐蝕性氣體的磁流體被廣泛用于CVD設(shè)備中。
我們會(huì)根據(jù)不同使用環(huán)境,向客戶提供最佳磁流體方案,歡迎來(lái)電或郵件咨詢。